簡要描述:· CMP Slurry中過氧化物(雙氧水)的濃度分析 · 濕法清洗工藝中DSP+HF、H2SO4的濃度分析· 裝機(jī)超1.5k臺,大廠占有率迅速攀升,信賴之選· 精準(zhǔn)掌控CMP Slurry中<<1%H2O2和濕法清洗DSP+中HF含量
Why ? 為什么用APM? | · 一站式備齊CMP解決方案,提升晶圓良率 · 精準(zhǔn)掌控晶圓制備及清洗的關(guān)鍵過程H2O2、H2SO4、HF等濃度水平 · 遠(yuǎn)超離線設(shè)備的在線濃度計 · 高可靠性,離群幾率低至十萬分之一/年 · 專為OEM廠家設(shè)計 |
How? 如何提高良品率? | · 精準(zhǔn)控制過氧化物濃度 · 過氧化物過高,metal lift and dishing · 過氧化物含量過低,金屬去除率不足,拋光效果不佳 · 氧化物的監(jiān)測和控制可以保持工藝化學(xué)成分和完整性 |
What we can do? 我們能做什么? | · 優(yōu)化工藝參數(shù):通過精確測量雙氧水濃度(低于1%),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量 · 降低生產(chǎn)成本:減少因濃度過高或過低導(dǎo)致的原材料浪費和不良品率,降低生產(chǎn)成本 · 提升產(chǎn)品質(zhì)量:穩(wěn)定的雙氧水濃度有助于實現(xiàn)均勻的金屬處理和拋光效果,提升產(chǎn)品表面質(zhì)量和光澤度 |
Who should use? 誰應(yīng)該使用? | · 研磨液(Slurry)的生產(chǎn)商,CMP SDS系統(tǒng)集成供應(yīng)商,芯片IDM生產(chǎn)企業(yè)或晶圓代工廠 |
Where to use? 在哪里使用? | · POU 端監(jiān)控Fab漿料稀釋過程 · 電化學(xué)&濃度雙法監(jiān)控 · Slurry(研磨液)拋光過程中過氧化物濃度監(jiān)控 |
產(chǎn)品介紹 | INTRODUCTION
SemiChem Advanced Process Monito(r APM)是一款集自動取樣、分析和報告關(guān)鍵過程的定量化學(xué)濃度于一體的化學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)。通過全面的在線化學(xué)監(jiān)測,該系統(tǒng)可實時校正漿料成分,從而穩(wěn)定控制工藝生產(chǎn)條件。APM系統(tǒng)可提供分類化學(xué)濃度數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)即時顯現(xiàn),助力操作人員快速糾正可能對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響的變化,有助于滿足更高的產(chǎn)品產(chǎn)量要求。 |
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經(jīng)驗證的標(biāo)準(zhǔn)電化學(xué)技術(shù) 實時監(jiān)測濃度監(jiān)控系統(tǒng) | 對于濃度低于1%的H2O2具有高靈敏度 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | Application |
l半導(dǎo)體領(lǐng)域CMP slurrry中過氧化物(雙氧水)的在線濃度檢測 |
lCMP slurrry過氧化物(雙氧水H2O2)的濃度分析 |
lDSP+(dilute sulfuric peroxide HF mixture)的濃度檢測 |
在全球范圍內(nèi),已安裝了近3000套SemiChem APM系統(tǒng),在微電子環(huán)境中的所有濕化學(xué)應(yīng)用中證明了其性能。應(yīng)用包括但不限于: |
l銅、鎢、阻擋層和金屬CMP |
lPAN蝕刻、Piranha蝕刻 |
l特制清洗劑 |
lHF氫氟酸 |
lDSP+ |
l廢水 |
儀器原理 | PRINCIPLE
SemiChem在線濃度監(jiān)測儀 工作原理 | |
滴定法:(氧化還原,酸堿中和) | |
氧化還原滴定法原理: 基于氧化還原反應(yīng)的定量關(guān)系。滴定劑(通常為氧化劑或還原劑)與待測物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),通過滴定劑的消耗量反推物質(zhì)的濃度。 | 酸堿滴定法原理: 利用酸和堿在水中以質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)為基礎(chǔ)的滴定分析方法。其基本反應(yīng)為H++OH-=H2O,也稱為中和法。 |
特點: | |
· 典型分析方法 |
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· 通過滴定劑達(dá)到endpoint時消耗的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)量,快速準(zhǔn)確地分析溶液中分析物的濃度 | |
· 精準(zhǔn) | |
· 容錯率高 | |
· 可以測量多種溶液 | 滴定曲線圖 |
ISE(離子吸附) | |
原理: 使用特定分析物和選擇性靈敏膜作為指示電極測量選擇性耦合電位差。
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特點: | |
· 僅對指定離子選擇性響應(yīng) | |
· 由與特定離子反應(yīng)并結(jié)合的薄膜組成 | |
· 沒氧化還原反應(yīng) | |
· 電導(dǎo)率(離子可轉(zhuǎn)移) | 離子吸附原理圖 |
儀器參數(shù) | SPECIFICATION
性能規(guī)格 | |
分析方法 | 電位滴定法/標(biāo)準(zhǔn)添加法/光度測定法 |
電位測量的準(zhǔn)確性1 | 顯示值的±0.2% |
標(biāo)準(zhǔn)添加劑的準(zhǔn)確性1 | 顯示值的±2.0% |
電位測量精度1 | ±0.2%對誤差 |
標(biāo)準(zhǔn)添加精度1 | ±2.0%對誤差 |
測量時間 | 5分鐘/次(取決于方法設(shè)定) |
校準(zhǔn)間隔 | 啟動時2 |
樣品消耗 | <5mL/次 |
進(jìn)樣量 | 0.05至5mL(取決于方法設(shè)定) |
樣品溫度 | 最高93℃(200°F) |
耗水量 | <1000 mL/次 |
系統(tǒng)設(shè)施要求3 | |
樣品進(jìn)樣/排樣 | <207kPa(30 psi),0.5升/分鐘 |
外徑1/4擴(kuò)口接頭,1"FPT安全殼聯(lián)軸器 | |
去離子水 | 138-276kPa (20-40 psi) |
2.0升/分鐘 | |
外徑1/4"擴(kuò)口接頭 | |
CDA | 414-552kPa (60-80psi) |
外徑1/4"快速接頭 | |
排水 | 處理管:3/4"NPT重力排水管 |
儲水管:1/2"NPT重力 | |
電源 | 110/220 VAC,50/60Hz,1.0/0.5A現(xiàn)場可切換 |
排氣 | 1-7/8" OD@17立方英尺/分 |
注:
1 僅指“硬件"。應(yīng)用、化學(xué)和工藝條件等外部因素會影響系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和精密度
2 這不包括pH或離子選擇性傳感器的校準(zhǔn)。有關(guān)更多信息,請參閱《安裝和操作手冊》
3 有關(guān)所需設(shè)施的完整清單,請參閱SemiChem APM安裝和操作手冊